本报北京1月8日电（记者冯永锋）中科院物理所的科学家在超高密度存储技术理论研究和实验中取得新突破，将现有光盘信息容量提高100万倍，居世界领先水平。
中科院物理所真空物理实验室副主任高鸿钧研究员领导的研究小组，研制出世界上存储密度最高的有机材料，将信息存储点的直径减小到0．6纳米（注：一纳米是一厘米的一百万分之一），并可进行信息点的擦除。高鸿钧说：“纳米直径的存储意味着信息存储的密度可达每平方厘米10的14次方比特（注：比特为信息存储基本单位），其信息容量非常惊人，相当于100万张用传统技术和工艺生产的光盘的存储量。一张这样的新式光盘虽然只有方糖大小，但足以存储美国国会图书馆中的所有信息。”
据专家介绍，在21世纪，信息存储、传输和处理将是提高社会整体发展水平最重要的保障条件之一，也是世界各国高技术竞争的焦点之一。目前，各发达国家都已投入大量人力、财力开展超高密度、超快速数据存储技术的研究。1996年，这个研究小组得到了点径为1．3纳米的信息点阵，点与点之间的间距为1．5纳米左右，当时点径的国际最高水平也仅为10纳米。自那以后，这个小组就始终站在国际最前沿，成为“世界之最”。即使是目前国际最好水平，信息存储点的直径也仅有6纳米，和我国相比，落后了一个数量级。
材料是超高密度信息存储的关键。这一研究小组选用、设计有特色的电荷转移有机功能分子体系作为信息存储的介质，利用其电学双稳态的特性实现超高密度信息的存储，显示出在分子尺度上存储时具有稳定性、重复性和可擦除性好的独特优点。
他们的论文不久前在这一领域最权威的学术刊物美国《物理评论快报》上发表后，引起了国际科技界的关注。中科院物理所日前召开了超高密度存储技术战略研讨会，邀请这一领域的权威人士研讨如何将这一技术产业化。高鸿钧说，这项技术要做到商品化、产业化还需要15年左右的时间。“我们仍将继续寻找更为合适的材料，以实现像硅那样对电子技术产生革命性影响。”另据了解，我国科学家的有关成果有望被用来进一步研究纳米器件。
 |
